• 首页
  • 当前位置:江苏省电子信息产业门户 >> 行业资讯 >> 全球资讯 >> 电子产业 >>
     
    中国企业自主研发的内存芯片亮相美国
    作者:未知    来源:参考消息网    更新时间:2018-08-09 11:18

      出海记|中国企业自主研发的内存芯片亮相美国

      参考消息网8月9日报道韩媒称,中国半导体企业清华紫光推出自主研发的内存芯片,将在美国硅谷首次公开。中美贸易战之下,中国半导体企业宣布进军市场。

      据韩国《朝鲜日报》网站8月7日报道,据悉,清华紫光的子公司长江存储(YMTC)从8月7日(当地时间)出席美国《美国的快闪记忆体高峰会(Flash Memory Summit)》,公开32层、64层3D NAND。YMTC的CEO杨士宁7日作主旨演讲,介绍新产品。

      中国产NAND将提高产量

      报道称,YMTC此次公开的NAND当中,32层产品将于下半年进入试产阶段。目前三星和SK海力士生产的是96层、72层产品。半导体业界认为,企业技术水平上,韩国比中国领先3年。

      报道称,YMTC透露,新产品使用的是3D NAND架构创新技术Xtacking,有效提高了数据处理速度。

      报道称,YMTC计划先在位于武汉的工厂进行生产,后将在南京建厂,从明年开始提高产量。中国的NAND进入市场已成为不可阻挡的趋势,市场调查机构预测认为,NAND价格到明年将持续下降。

      报道称,中国政府为2025年内存半导体自给率提高至70%,已投入资金达1000亿美元。

      报道称,业界人士表示:“中国企业先攻占电脑等低价产品市场,日后将进入服务器等高价产品市场。”

    [我要纠错]    责任编辑:邱路 
    明星企业更多>>
    无锡新吴:项目为王招大引强 打响高端"产业牌" 借智引才垒起创新“高峰” 昆山开发区加码智能制造
    苏宁云商集团股份有限公司 常州格力博有限公司
    通鼎集团有限公司 江苏创享电子商务有限公司
    江苏赛迪恒业网络技术有限公司 江苏迪飞达电子有限公司
    我要投稿
    中关村 2014江西省互联网大会